NAND 3D Mais Denso do Mundo: Kioxia e Sandisk Lançam 332 Camadas

Nova tecnologia BiCS10 revoluciona datacenters com performance e densidade recordes, superando rivais.

Uma Nova Era para a Memória Flash 3D

Kioxia e Sandisk anunciaram o início da amostragem de sua mais recente memória 3D NAND, a BiCS10 de 332 camadas ativas. Esta inovação estabelece novos padrões em densidade areal e performance, prometendo superar as ofertas da concorrência, incluindo a classe V10 da Samsung.

Foco nos Data Centers com BiCS10

  • Ao contrário das gerações anteriores, a BiCS10 (10ª Geração BiCS) é especificamente projetada para aplicações de data center.
  • Aqui, a densidade de bits e o desempenho são cruciais, mais do que o custo.
  • A nova memória possui uma arquitetura de 332 camadas ativas, densidade superior a 29 Gb/mm² e taxa de transferência de dados de 4.800 MT/s.
  • Isso permite desempenho extremo para SSDs de data center com interfaces PCIe 5.0 e 6.0.
  • Para aplicações de cliente, Kioxia e Sandisk continuarão a oferecer a NAND BiCS9.

Desempenho e Eficiência Aprimorados

  • A BiCS10 aumenta a densidade de bits em 59%, ultrapassando 29 Gb/mm².
  • Redução da latência de leitura em cerca de 4 microssegundos (10%).
  • Consumo de energia de leitura diminuído em 25% (de ~100 mJ/GB para ~75 mJ/GB).

Tecnologia de Leitura Inovadora

Essas melhorias resultam de um esquema de leitura redesenhado. Durante operações de leitura contínuas, as linhas de palavra não são totalmente descarregadas até o VSS (terra). Em vez disso, são baixadas para uma tensão intermediária e, em seguida, elevadas de volta para VREAD para a próxima leitura.

  • Isso acelera a recarga das linhas de palavra.
  • Reduz a necessidade de corrente.
  • Melhora a latência de leitura e a eficiência energética.
  • Especialmente benéfico para pilhas 3D NAND muito altas, onde as longas linhas de palavra amplificam atrasos e perdas de energia.

Estratégia de Fabricação Dividida

Kioxia e Sandisk irão fabricar a BiCS9 e a BiCS10 em locais de produção diferentes:

  • A memória BiCS10 de 332 camadas será produzida na mais nova e avançada Fab 2 em Kitakami.
  • A geração BiCS9 de 218 camadas continuará a ser fabricada no complexo de Yokkaichi, que é mais estabelecido.
  • Essa divisão otimiza a produção: a Fab 2 para a tecnologia de ponta e Yokkaichi para produtos de baixo custo e grande volume.
Baseado no artigo de Tom’s Hardware